超精密磁(ci)流變拋(pao)(pao)光(Magnetorheological Finishing，MRF)技(ji)術(shu)自1998年(nian)被美國QED公司(si)(si)成功(gong)研制之(zhi)后(hou)，其無應(ying)力(li)、無亞表面(mian)損傷、柔(rou)性剪切(qie)去除(chu)等(deng)特性受(shou)到國內外(wai)眾(zhong)多(duo)科研單位的(de)青(qing)睞，與(yu)離子束加工技(ji)術(shu)(Ion beam figuring，IBF)共同被認為是近30年(nian)來光學加工領域(yu)最為創新(xin)的(de)兩(liang)大技(ji)術(shu)。而(er)柔(rou)性剪切(qie)磁(ci)流變拋(pao)(pao)光液(ye)、高效去除(chu)算(suan)法的(de)校(xiao)正與(yu)補償是磁(ci)流變工藝技(ji)術(shu)的(de)主要核(he)心(xin)，美國QED公司(si)(si)在該領域(yu)對外(wai)實(shi)行技(ji)術(shu)封鎖。

光(guang)(guang)(guang)學加(jia)(jia)工(gong)是一(yi)項極(ji)其復雜的(de)(de)工(gong)藝過程，隨著現代精(jing)密(mi)光(guang)(guang)(guang)學系(xi)(xi)統(tong)對光(guang)(guang)(guang)學元件(jian)面形精(jing)度(du)(du)、光(guang)(guang)(guang)潔度(du)(du)、粗糙度(du)(du)等(deng)要(yao)求的(de)(de)不斷提升，傳統(tong)光(guang)(guang)(guang)學加(jia)(jia)工(gong)技術已不能完全適(shi)應當前光(guang)(guang)(guang)學系(xi)(xi)統(tong)的(de)(de)發展趨勢(shi)。近(jin)期，中國科學院光(guang)(guang)(guang)電技術研究所(suo)超精(jing)密(mi)光(guang)(guang)(guang)學技術及(ji)裝備總體部鐘(zhong)顯云(yun)帶(dai)領的(de)(de)精(jing)密(mi)光(guang)(guang)(guang)學加(jia)(jia)工(gong)課題組在(zai)國家重大(da)專項課題的(de)(de)支持下，先(xian)后(hou)突破了(le)雙相基(ji)載磁流變拋(pao)光(guang)(guang)(guang)液的(de)(de)研制技術以(yi)及(ji)基(ji)于Bayesian迭代的(de)(de)拋(pao)光(guang)(guang)(guang)斑校正與(yu)補償算法，并在(zai)現有的(de)(de)MRF設備上成(cheng)功解(jie)決研究所(suo)多塊(kuai)高難度(du)(du)光(guang)(guang)(guang)學元件(jian)的(de)(de)精(jing)密(mi)制造。

由(you)于(yu)光學(xue)材料(liao)性(xing)能存在(zai)差(cha)異，磁流(liu)變對(dui)不(bu)同(tong)材料(liao)的去除(chu)(chu)機理(li)及(ji)(ji)效(xiao)(xiao)率也不(bu)盡相(xiang)同(tong)。課(ke)題組對(dui)磁流(liu)變拋(pao)光液(ye)進行了(le)多年的理(li)化分析及(ji)(ji)實驗測試，對(dui)拋(pao)光液(ye)的成(cheng)分及(ji)(ji)比例做不(bu)同(tong)程度的調(diao)整，共完(wan)成(cheng)了(le)三(san)種雙相(xiang)基(ji)載磁流(liu)變拋(pao)光液(ye)的研制(zhi)(zhi)，分別適用于(yu)Fused Silica、Zerodur等常規光學(xue)玻璃材料(liao)、Si、CaF2、ZnSe等軟性(xing)材料(liao)、Rb-SiC，S-SiC等硬(ying)性(xing)材料(liao)。開發的基(ji)于(yu)Bayesian迭代的拋(pao)光斑校正與補償算法，有效(xiao)(xiao)地(di)對(dui)光學(xue)元件低頻誤差(cha)(f>8mm-1)確定(ding)性(xing)去除(chu)(chu)，并有效(xiao)(xiao)抑制(zhi)(zhi)了(le)中頻誤差(cha)，低頻收斂精(jing)度由(you)75%提(ti)升(sheng)為93%，中頻誤差(cha)由(you)4nm-6nm抑制(zhi)(zhi)在(zai)1nm以內(nei)。