以RRAM和MRAM為代表的(de)(de)新(xin)型存儲器(qi)被認為是(shi)28nm及后續(xu)工藝節點中(zhong)嵌入式存儲的(de)(de)主要解決方(fang)(fang)案(an)。劉明團隊(dui)在RRAM方(fang)(fang)向具有長達10年(nian)的(de)(de)研究積(ji)累，于2015年(nian)開始聯合中(zhong)芯(xin)國際(ji)、國網智芯(xin)等單位，以產學研合作方(fang)(fang)式共同推進RRAM的(de)(de)實用化。經過兩年(nian)多的(de)(de)努力，在中(zhong)芯(xin)國際(ji)28nm平(ping)臺上完成了工藝流程的(de)(de)開發與驗(yan)證，并在此基(ji)礎上設(she)計實現了規模為1Mb的(de)(de)測試(shi)芯(xin)片(pian)。

垂直結(jie)構的高密度三維交(jiao)叉陣列，結(jie)合了(le)3D-Xpoint以及3D-NAND兩(liang)種架構的優勢，具有制(zhi)備工藝簡單，成(cheng)本(ben)低廉以及集成(cheng)密度高等優點。劉(liu)明團隊在前期四層堆疊結(jie)構的基礎上(IEDM 2015 10.2、VLSI 2016 8.4)實現了(le)8層結(jie)構的設(she)計，進一步(bu)驗證了(le)RRAM三維結(jie)構微(wei)縮(suo)至5nm以下的可能性(xing)。

相關研(yan)究成果分別以 BEOL Based RRAM with One Extra-mask for Low Cost, Highly Reliable Embedded Application in 28 nm Node and Beyond 和(he) 8-Layers 3D Vertical RRAM with Excellent Scalability towards Storage Class Memory Applications 為題在2017年國際(ji)電子器(qi)件大會上(shang)進行了匯報(bao)發言。