近日，中國科學院微電子研究所高頻高壓中心在氮化鎵高壓電力電子器件領域取得突破性進展，提出了一種低損傷、高性能的新型氮化鎵橫向肖特基二極管結構，有望提升各類電源和無線充電系統的效率和功率密度，顯著降低系統成本，具有廣闊的市場前景。
 

肖特基二極管是各類電源模塊、UPS、光伏發電、電動汽車、無線充電應用中必不可少的原件，主要用于整流、續流以及防護用途。對比傳統的硅基肖特基二極管，氮化鎵肖特基二極管更耐壓，適合于300V以上的電路系統，具有非常廣闊的應用空間。傳統的氮化鎵肖特基二極管存在開啟電壓與反向泄露電流相互制約的問題。為滿足大規模生產制備的需求，開發具有高均勻、高可靠的工藝是實現氮化鎵肖特基二極管產業化的關鍵。
 

微電(dian)子所研究(jiu)員(yuan)劉新宇研究(jiu)團隊提出了(le)(le)(le)一(yi)種基(ji)于AlGaN/GaN異(yi)質結材料體系，通過(guo)采用導電(dian)機制融合和能帶(dai)分區調控的先進技術(shu)路線改(gai)變(bian)傳統(tong)氮化鎵肖特(te)基(ji)二極管正向電(dian)壓與反向電(dian)流等參數(shu)之間的經典調控規律(lv)，采用無(wu)損傷工(gong)藝，提升了(le)(le)(le)器件的均勻性和可(ke)靠(kao)性，進一(yi)步提升了(le)(le)(le)氮化鎵肖特(te)基(ji)二極管的性能。測(ce)試結果(guo)達(da)到1700V反向耐壓，正向開啟(qi)電(dian)壓達(da)到0.38V以及高防浪涌能力，為肖特(te)基(ji)二極管器件市場提供(gong)了(le)(le)(le)一(yi)種新選擇。

基于該研究(jiu)成(cheng)果的論(lun)文(wen)Recess-Free AlGaN/GaN Lateral Schottky Barrier Controlled Schottky Rectifier with Low Turn-on Voltage and High Reverse Blocking 被2018年IEEE國際(ji)功率(lv)(lv)半導體器件與功率(lv)(lv)集成(cheng)電路會議(ISPSD 2018)收錄(lu)，團隊成(cheng)員康玄(xuan)武在(zai)大(da)會上(shang)作(zuo)了(le)口頭報告(gao)，這是(shi)中科院的科研團隊首次受(shou)邀在(zai)該頂(ding)級(ji)國際(ji)會議上(shang)作(zuo)大(da)會報告(gao)。